üzenetek

hozzászólások


Reggie0
(félisten)

Texas javaslata a Si2312 nmos, ami 51mOhm 1.8Vgs-nel.
Nagyobb pontossagot erhetsz el ugy, hogy ha a feszultsegmerest kozvetlen az akkura kotott ellenallas-osztoval valositod meg es az AD-t veded diodaval forditott polaritas ellen, igy nem mered bele a feszultsegbe a forditott polaritas elleni vedelmet. Ha pedig mindezt kulonvalasztod az akku nagyaramu vezetekeitol es kulon erintkezesi pontonokkal mered a feszultseget, akkor meg pontosabb lesz, mert a vezetekek ellenallasa sem lesz benne.

[ Szerkesztve ]

üzenetek